產(chǎn)品[
ZHLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀
]資料
產(chǎn)品名稱:
ZHLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀
產(chǎn)品型號:
ZHLT-100C
產(chǎn)品展商:
國產(chǎn)
產(chǎn)品文檔:
*相關(guān)文檔
簡單介紹
ZHLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟的測試方法
ZHLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀
的詳細介紹
| 產(chǎn)品名稱：ZHLT-100C型數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀 | | 產(chǎn)品型號：ZHLT-100C | | 生產(chǎn)廠商：北京中慧天誠有限公司 | | 聯(lián)系方式：010-59488880 | | 產(chǎn)品單價： | | 所屬欄目：產(chǎn)品 |
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| 產(chǎn)品簡介 |
| 按照國標(biāo)GB/T1553及SEMI MF-1535用高頻光電導(dǎo)法研制出了數(shù)字式少子壽命測試儀。 該設(shè)備是按照標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探測器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟的測試方法，**適合于硅塊、硅棒研磨面的少子體壽命測量；也可對硅片進行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，制樣簡便。 ZHLT-100C數(shù)字式硅晶體少子壽命測試儀有以下特點： 1、 可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面*需拋光，直接對切割面或研磨面進行測量。同時可測量多晶硅檢驗棒及集成電路、整流器、晶體管硅單晶的少子壽命。 2、 可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面*需拋光、鈍化。 3、 配備軟件的數(shù)字示波器，液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形，并可聯(lián)用打印機及計算機。 4、 配置兩種波長的紅外光源： a、紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。 b、短波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能硅晶體。 5、 測量范圍寬廣 測試儀可直接測量： a、研磨或切割面：電阻率≥0.3Ω•㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。 b、拋光面：電阻率在0.3～0.01Ω•㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。 壽命可測范圍 0.25μS—10ms |